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Das Zusammenspiel von Inhomogenität und starken elektronischen Korrelationen führt zu komplexen Vielteilchenanregungen und anomalem Transportverhalten. Folgende Situationen sollen analysiert werden: (1) Inhomogenitäten mit internen Freiheitsgraden und (2) zufallsverteilte Kopplungen und Potentiale. Eine Inhomogenität kann als Störstelle, als Phasenseparation auf Nanoskalen oder als Grenzfläche das korrelierte elektronische System beeinflussen.
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